FDM80R120AN4G - аналоги и даташиты транзистора

 

FDM80R120AN4G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDM80R120AN4G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4
 

 Аналог (замена) для FDM80R120AN4G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM80R120AN4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3776K  first semi
 fdm80r120an4g.pdf pdf_icon

FDM80R120AN4G

FDM80R120AN4GSilicon Carbide MOSFET 1200V, 80mGeneral DescriptionThis product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications herehigh efficiency and high reliability are required.Features High voltage, low on resistance High speed, low parasitic capacitance High junction temperature Fast recovery diodeTO-247-4Pin de

Другие MOSFET... MPVA7N65F , MPVU5N50CCFD , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G , IRFP064N , FDZ65T300D8G , FDZ90T150PG , FIR10N10LG , FIR10N20LG , FIR10N50FG , FIR10N70FG , FIR10N80FG , FIR110N10PG .

History: AOT20N25

 

 
Back to Top

 


 
.