FDM80R120AN4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDM80R120AN4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-247-4

Аналог (замена) для FDM80R120AN4G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM80R120AN4G даташит

 ..1. Size:3776K  first semi
 fdm80r120an4g.pdf pdf_icon

FDM80R120AN4G

FDM80R120AN4G Silicon Carbide MOSFET 1200V, 80m General Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications here high efficiency and high reliability are required. Features High voltage, low on resistance High speed, low parasitic capacitance High junction temperature Fast recovery diode TO-247-4 Pin de

Другие IGBT... MPVA7N65F, MPVU5N50CCFD, MPVD5N50CCFD, FDM20R120AN4G, FDM30R650AN4G, FDM40R120AN4G, FDM50R120AN4G, FDM60R65AN4G, IRF730, FDZ65T300D8G, FDZ90T150PG, FIR10N10LG, FIR10N20LG, FIR10N50FG, FIR10N70FG, FIR10N80FG, FIR110N10PG