FDZ65T300D8G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ65T300D8G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: DFN8X8

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FDZ65T300D8G datasheet

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FDZ65T300D8G

FDZ65T300D8G 650V GaN Power Transistor (FET) Features Product Summary Easy to use, compatible with standard gate drivers V 650 V DSS Excellent Q x R figure of merit (FOM) g DS(on) R 240 m DS(on), typ Low Q , no free-wheeling diode required rr Q 21.5 nC G, typ Low switching loss Q 39 nC RR, typ RoHS compliant and Halogen-free Applications S High eff

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