FDZ65T300D8G Todos los transistores

 

FDZ65T300D8G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDZ65T300D8G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDZ65T300D8G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2737K  first semi
 fdz65t300d8g.pdf pdf_icon

FDZ65T300D8G

FDZ65T300D8G650V GaN Power Transistor (FET)FeaturesProduct Summary Easy to use, compatible with standard gate driversV 650 VDSS Excellent Q x R figure of merit (FOM)g DS(on)R 240 mDS(on), typ Low Q , no free-wheeling diode requiredrrQ 21.5 nCG, typ Low switching lossQ 39 nCRR, typ RoHS compliant and Halogen-freeApplicationsS High eff

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History: IRFS720 | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | IRFB4410ZGPBF

 

 
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