FDZ90T150PG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ90T150PG

Tipo de FET: GaN

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FDZ90T150PG datasheet

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FDZ90T150PG

FDZ90T150PG 900V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Superior reliability with BVDSS over 1500V VDSS 900 V Low QRR, no free-wheeling diode required RDS(on), typ 150 m Excellent QG x RDS(on) figure of merit (FOM) QG, typ 38 nC Low switching loss QRR, typ 26 nC RoHS compliant and Halo

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