FDZ90T150PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDZ90T150PG
   Tipo de FET: GaN
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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FDZ90T150PG Datasheet (PDF)

..1. Size:1608K first semi
fdz90t150pg.pdf

FDZ90T150PG 900V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate driversProduct Summary Superior reliability with BVDSS over 1500VVDSS 900 V Low QRR, no free-wheeling diode requiredRDS(on), typ 150 m Excellent QG x RDS(on) figure of merit (FOM)QG, typ 38 nC Low switching lossQRR, typ 26 nC RoHS compliant and Halo

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Liste

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