Справочник MOSFET. FDZ90T150PG

 

FDZ90T150PG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ90T150PG
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ90T150PG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1608K  first semi
 fdz90t150pg.pdf pdf_icon

FDZ90T150PG

FDZ90T150PG 900V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate driversProduct Summary Superior reliability with BVDSS over 1500VVDSS 900 V Low QRR, no free-wheeling diode requiredRDS(on), typ 150 m Excellent QG x RDS(on) figure of merit (FOM)QG, typ 38 nC Low switching lossQRR, typ 26 nC RoHS compliant and Halo

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.