Справочник MOSFET. FDZ90T150PG

 

FDZ90T150PG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDZ90T150PG
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FDZ90T150PG

 

 

FDZ90T150PG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1608K  first semi
 fdz90t150pg.pdf

FDZ90T150PG FDZ90T150PG

FDZ90T150PG 900V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate driversProduct Summary Superior reliability with BVDSS over 1500VVDSS 900 V Low QRR, no free-wheeling diode requiredRDS(on), typ 150 m Excellent QG x RDS(on) figure of merit (FOM)QG, typ 38 nC Low switching lossQRR, typ 26 nC RoHS compliant and Halo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top