Справочник MOSFET. FDZ90T150PG

 

FDZ90T150PG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ90T150PG
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FDZ90T150PG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ90T150PG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1608K  first semi
 fdz90t150pg.pdf pdf_icon

FDZ90T150PG

FDZ90T150PG 900V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate driversProduct Summary Superior reliability with BVDSS over 1500VVDSS 900 V Low QRR, no free-wheeling diode requiredRDS(on), typ 150 m Excellent QG x RDS(on) figure of merit (FOM)QG, typ 38 nC Low switching lossQRR, typ 26 nC RoHS compliant and Halo

Другие MOSFET... MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G , FDM80R120AN4G , FDZ65T300D8G , IRF3205 , FIR10N10LG , FIR10N20LG , FIR10N50FG , FIR10N70FG , FIR10N80FG , FIR110N10PG , FIR11N40FG , FIR11N90ANG .

History: MDQ18N50GTP

 

 
Back to Top

 


 
.