FIR13N50FG Todos los transistores

 

FIR13N50FG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR13N50FG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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FIR13N50FG Datasheet (PDF)

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FIR13N50FG

FIR13N50FGCREAT BY ARTAdvanced N-Ch Power MOSFET-GPIN Connection TO-220FVDSS 500 VID 13 APD (TC=25) 150 WRDS(ON) 0.4 G D S Features Fast Switching gSchematic dia ram Low ON Resistance(Rdson0.5 ) D Low Gate Charge (Typical Data:85nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical:100pF) G 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking Di

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History: HTD350C04 | ME70N03S-G | IPB65R310CFDA | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02

 

 
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