FIR13N50FG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR13N50FG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FIR13N50FG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR13N50FG даташит

 ..1. Size:4923K  first semi
 fir13n50fg.pdf pdf_icon

FIR13N50FG

FIR13N50FG CREAT BY ART Advanced N-Ch Power MOSFET-G PIN Connection TO-220F VDSS 500 V ID 13 A PD (TC=25 ) 150 W RDS(ON) 0.4 G D S Features Fast Switching g Schematic dia ram Low ON Resistance(Rdson 0.5 ) D Low Gate Charge (Typical Data 85nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical 100pF) G 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking Di

Другие IGBT... FIR11N40FG, FIR11N90ANG, FIR11NS65AFG, FIR11NS70AFG, FIR120N08PG, FIR12N15LG, FIR12N70FG, FIR12N80FG, AO3400, FIR14N50FG, FIR14N65FG, FIR14NS65AFG, FIR14NS70AFG, FIR150N06PG, FIR15N10LG, FIR16N06DG, FIR16N50FG