FIR13N50FG - аналоги и даташиты транзистора

 

FIR13N50FG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FIR13N50FG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FIR13N50FG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR13N50FG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4923K  first semi
 fir13n50fg.pdf pdf_icon

FIR13N50FG

FIR13N50FGCREAT BY ARTAdvanced N-Ch Power MOSFET-GPIN Connection TO-220FVDSS 500 VID 13 APD (TC=25) 150 WRDS(ON) 0.4 G D S Features Fast Switching gSchematic dia ram Low ON Resistance(Rdson0.5 ) D Low Gate Charge (Typical Data:85nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical:100pF) G 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking Di

Другие MOSFET... FIR11N40FG , FIR11N90ANG , FIR11NS65AFG , FIR11NS70AFG , FIR120N08PG , FIR12N15LG , FIR12N70FG , FIR12N80FG , IRFB4227 , FIR14N50FG , FIR14N65FG , FIR14NS65AFG , FIR14NS70AFG , FIR150N06PG , FIR15N10LG , FIR16N06DG , FIR16N50FG .

History: IXFK150N15P | DH100P30C

 

 
Back to Top

 


 
.