FIR16N06DG Todos los transistores

 

FIR16N06DG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR16N06DG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

FIR16N06DG Datasheet (PDF)

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FIR16N06DG

FIR16N06DGN-Channel 60V (D-S) MOSFETPIN CONFIGURATIONDescription(SOP-8)The FIR16N06DG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switchin g powe r losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ide al for high-frequency switching an

 8.1. Size:3975K  first semi
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FIR16N06DG

FIR16N50FGCREAT BY ARTN-Channel Power MOSFETPIN Connection TO-220FVDSS 500 VID 16 APD (TC=25) 70 WRDS(ON) 0.4 G D S Features Fast Switching gSchematic dia ram D Low ON Resistance(Rdson0.40) Low Gate Charge (Typical Data:50nC) G Low Reverse transfer capacitances(Typical:25.5pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking DiagramAp

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History: BSP322P | LSH65R1K5HT | CEM9936A | OSG60R108KZF

 

 
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