Справочник MOSFET. FIR16N06DG

 

FIR16N06DG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR16N06DG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для FIR16N06DG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR16N06DG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2917K  first semi
 fir16n06dg.pdf pdf_icon

FIR16N06DG

FIR16N06DGN-Channel 60V (D-S) MOSFETPIN CONFIGURATIONDescription(SOP-8)The FIR16N06DG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switchin g powe r losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ide al for high-frequency switching an

 8.1. Size:3975K  first semi
 fir16n50fg.pdf pdf_icon

FIR16N06DG

FIR16N50FGCREAT BY ARTN-Channel Power MOSFETPIN Connection TO-220FVDSS 500 VID 16 APD (TC=25) 70 WRDS(ON) 0.4 G D S Features Fast Switching gSchematic dia ram D Low ON Resistance(Rdson0.40) Low Gate Charge (Typical Data:50nC) G Low Reverse transfer capacitances(Typical:25.5pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking DiagramAp

Другие MOSFET... FIR12N80FG , FIR13N50FG , FIR14N50FG , FIR14N65FG , FIR14NS65AFG , FIR14NS70AFG , FIR150N06PG , FIR15N10LG , IRFB4115 , FIR16N50FG , FIR18N50FG , FIR18N65FG , FIR19N20LG , FIR20N06LG , FIR20N10LG , FIR20N15LG , FIR20N50FG .

History: CHM4800AJGP | BUK954R4-40B | CEM9926 | RU20P4C

 

 
Back to Top

 


 
.