FIR16N06DG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR16N06DG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для FIR16N06DG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR16N06DG даташит

 ..1. Size:2917K  first semi
 fir16n06dg.pdf pdf_icon

FIR16N06DG

FIR16N06DG N-Channel 60V (D-S) MOSFET PIN CONFIGURATION Description (SOP-8) The FIR16N06DG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switchin g powe r losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ide al for high-frequency switching an

 8.1. Size:3975K  first semi
 fir16n50fg.pdf pdf_icon

FIR16N06DG

FIR16N50FG CREAT BY ART N-Channel Power MOSFET PIN Connection TO-220F VDSS 500 V ID 16 A PD (TC=25 ) 70 W RDS(ON) 0.4 G D S Features Fast Switching g Schematic dia ram D Low ON Resistance(Rdson 0.40 ) Low Gate Charge (Typical Data 50nC) G Low Reverse transfer capacitances(Typical 25.5pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking Diagram Ap

Другие IGBT... FIR12N80FG, FIR13N50FG, FIR14N50FG, FIR14N65FG, FIR14NS65AFG, FIR14NS70AFG, FIR150N06PG, FIR15N10LG, P55NF06, FIR16N50FG, FIR18N50FG, FIR18N65FG, FIR19N20LG, FIR20N06LG, FIR20N10LG, FIR20N15LG, FIR20N50FG