FIR16N50FG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FIR16N50FG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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FIR16N50FG datasheet

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FIR16N50FG

FIR16N50FG CREAT BY ART N-Channel Power MOSFET PIN Connection TO-220F VDSS 500 V ID 16 A PD (TC=25 ) 70 W RDS(ON) 0.4 G D S Features Fast Switching g Schematic dia ram D Low ON Resistance(Rdson 0.40 ) Low Gate Charge (Typical Data 50nC) G Low Reverse transfer capacitances(Typical 25.5pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking Diagram Ap

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FIR16N50FG

FIR16N06DG N-Channel 60V (D-S) MOSFET PIN CONFIGURATION Description (SOP-8) The FIR16N06DG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switchin g powe r losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ide al for high-frequency switching an

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