Справочник MOSFET. FIR16N50FG

 

FIR16N50FG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR16N50FG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FIR16N50FG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR16N50FG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3975K  first semi
 fir16n50fg.pdf pdf_icon

FIR16N50FG

FIR16N50FGCREAT BY ARTN-Channel Power MOSFETPIN Connection TO-220FVDSS 500 VID 16 APD (TC=25) 70 WRDS(ON) 0.4 G D S Features Fast Switching gSchematic dia ram D Low ON Resistance(Rdson0.40) Low Gate Charge (Typical Data:50nC) G Low Reverse transfer capacitances(Typical:25.5pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking DiagramAp

 8.1. Size:2917K  first semi
 fir16n06dg.pdf pdf_icon

FIR16N50FG

FIR16N06DGN-Channel 60V (D-S) MOSFETPIN CONFIGURATIONDescription(SOP-8)The FIR16N06DG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switchin g powe r losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ide al for high-frequency switching an

Другие MOSFET... FIR13N50FG , FIR14N50FG , FIR14N65FG , FIR14NS65AFG , FIR14NS70AFG , FIR150N06PG , FIR15N10LG , FIR16N06DG , 2SK3878 , FIR18N50FG , FIR18N65FG , FIR19N20LG , FIR20N06LG , FIR20N10LG , FIR20N15LG , FIR20N50FG , FIR20N60FG .

History: QM2403K | PHP79NQ08LT | SSM3J36MFV | FTK80N10P | LSD65R180GT | IRFS7734PBF | HTA1K2P10

 

 
Back to Top

 


 
.