FIR19N20LG Todos los transistores

 

FIR19N20LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR19N20LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FIR19N20LG Datasheet (PDF)

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FIR19N20LG

FIR19N20LG200V N-Channel MOSFET-MPIN Connection TO-252VDSS 200 VID 18 APD(TC=25) 100 WRDS(ON)Typ 0.12 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson0.18) ) Low Gate Charge (Typical Data:24nC Low Reverse transfer capacitances(Typical:25pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test Marking DiagramApplicationsYAWWY = YearCRTTV/Monitor and

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History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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