FIR19N20LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FIR19N20LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR19N20LG

FIR19N20LG Datasheet (PDF)

..1. Size:5069K first semi
fir19n20lg.pdf

FIR19N20LG200V N-Channel MOSFET-MPIN Connection TO-252VDSS 200 VID 18 APD(TC=25) 100 WRDS(ON)Typ 0.12 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson0.18) ) Low Gate Charge (Typical Data:24nC Low Reverse transfer capacitances(Typical:25pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test Marking DiagramApplicationsYAWWY = YearCRTTV/Monitor and

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: