FIR19N20LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FIR19N20LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO-252

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FIR19N20LG datasheet

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FIR19N20LG

FIR19N20LG 200V N-Channel MOSFET-M PIN Connection TO-252 VDSS 200 V ID 18 A PD(TC=25 ) 100 W RDS(ON)Typ 0.12 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson 0.18 ) ) Low Gate Charge (Typical Data 24nC Low Reverse transfer capacitances(Typical 25pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test Marking Diagram Applications YAWW Y = Year CRT TV/Monitor and

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