Справочник MOSFET. FIR19N20LG

 

FIR19N20LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FIR19N20LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для FIR19N20LG

 

 

FIR19N20LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5069K  first semi
 fir19n20lg.pdf

FIR19N20LG FIR19N20LG

FIR19N20LG200V N-Channel MOSFET-MPIN Connection TO-252VDSS 200 VID 18 APD(TC=25) 100 WRDS(ON)Typ 0.12 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson0.18) ) Low Gate Charge (Typical Data:24nC Low Reverse transfer capacitances(Typical:25pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test Marking DiagramApplicationsYAWWY = YearCRTTV/Monitor and

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FIR9N65LG

 

 
Back to Top