Справочник MOSFET. FIR19N20LG

 

FIR19N20LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR19N20LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FIR19N20LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR19N20LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5069K  first semi
 fir19n20lg.pdf pdf_icon

FIR19N20LG

FIR19N20LG200V N-Channel MOSFET-MPIN Connection TO-252VDSS 200 VID 18 APD(TC=25) 100 WRDS(ON)Typ 0.12 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson0.18) ) Low Gate Charge (Typical Data:24nC Low Reverse transfer capacitances(Typical:25pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test Marking DiagramApplicationsYAWWY = YearCRTTV/Monitor and

Другие MOSFET... FIR14NS65AFG , FIR14NS70AFG , FIR150N06PG , FIR15N10LG , FIR16N06DG , FIR16N50FG , FIR18N50FG , FIR18N65FG , 7N65 , FIR20N06LG , FIR20N10LG , FIR20N15LG , FIR20N50FG , FIR20N60FG , FIR20N65FG , FIR20NS65AFG , FIR24N50APTG .

History: IXFC14N80P | ME35N10 | SI1035X

 

 
Back to Top

 


 
.