FIR24N50APTG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FIR24N50APTG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FIR24N50APTG datasheet

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FIR24N50APTG

FIR24N50APTG High Voltage N-Channel MOSFET PIN Connection TO-3P Features Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge 90 nC (Typ.) g Schematic dia ram BVDSS=500V,ID=24A D Lower RDS(on) 0.2 (Max) @VG=10V G 100% Avalanche Tested S Marking Diagram Y = Year A = Assembly Location

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