FIR24N50APTG Todos los transistores

 

FIR24N50APTG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR24N50APTG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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FIR24N50APTG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4754K  first semi
 fir24n50aptg.pdf pdf_icon

FIR24N50APTG

FIR24N50APTGHigh Voltage N-Channel MOSFETPIN Connection TO-3PFeatures Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :90 nC (Typ.) gSchematic dia ram BVDSS=500V,ID=24A D Lower RDS(on) : 0.2 (Max) @VG=10V G 100% Avalanche Tested S Marking DiagramY = YearA = Assembly Location

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History: IRLR120NPBF | SSM6P15FU | SM2601PSC | CEF02N6G | HIRFZ44N | PSMN011-30YLC | PFF2N60

 

 
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