FIR24N50APTG - аналоги и даташиты транзистора

 

FIR24N50APTG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FIR24N50APTG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FIR24N50APTG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR24N50APTG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4754K  first semi
 fir24n50aptg.pdf pdf_icon

FIR24N50APTG

FIR24N50APTGHigh Voltage N-Channel MOSFETPIN Connection TO-3PFeatures Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :90 nC (Typ.) gSchematic dia ram BVDSS=500V,ID=24A D Lower RDS(on) : 0.2 (Max) @VG=10V G 100% Avalanche Tested S Marking DiagramY = YearA = Assembly Location

Другие MOSFET... FIR19N20LG , FIR20N06LG , FIR20N10LG , FIR20N15LG , FIR20N50FG , FIR20N60FG , FIR20N65FG , FIR20NS65AFG , IRLB4132 , FIR25N03D3G , FIR2N60AFG , FIR2N65AFG , FIR2N70FG , FIR2N80FG , FIR30N03D3G , FIR40N10LG , FIR40N15LG .

History: RS1E200AH | RQ3E100MN | RS1E170GN | RS1E150GN | FIR40N15LG | FDB8132 | FIR40N10LG

 

 
Back to Top

 


 
.