Справочник MOSFET. FIR24N50APTG

 

FIR24N50APTG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR24N50APTG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR24N50APTG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4754K  first semi
 fir24n50aptg.pdf pdf_icon

FIR24N50APTG

FIR24N50APTGHigh Voltage N-Channel MOSFETPIN Connection TO-3PFeatures Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :90 nC (Typ.) gSchematic dia ram BVDSS=500V,ID=24A D Lower RDS(on) : 0.2 (Max) @VG=10V G 100% Avalanche Tested S Marking DiagramY = YearA = Assembly Location

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.