Справочник MOSFET. FIR24N50APTG

 

FIR24N50APTG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FIR24N50APTG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для FIR24N50APTG

 

 

FIR24N50APTG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4754K  first semi
 fir24n50aptg.pdf

FIR24N50APTG FIR24N50APTG

FIR24N50APTGHigh Voltage N-Channel MOSFETPIN Connection TO-3PFeatures Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :90 nC (Typ.) gSchematic dia ram BVDSS=500V,ID=24A D Lower RDS(on) : 0.2 (Max) @VG=10V G 100% Avalanche Tested S Marking DiagramY = YearA = Assembly Location

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top