FIR24N50APTG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR24N50APTG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FIR24N50APTG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR24N50APTG даташит

 ..1. Size:4754K  first semi
 fir24n50aptg.pdf pdf_icon

FIR24N50APTG

FIR24N50APTG High Voltage N-Channel MOSFET PIN Connection TO-3P Features Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge 90 nC (Typ.) g Schematic dia ram BVDSS=500V,ID=24A D Lower RDS(on) 0.2 (Max) @VG=10V G 100% Avalanche Tested S Marking Diagram Y = Year A = Assembly Location

Другие IGBT... FIR19N20LG, FIR20N06LG, FIR20N10LG, FIR20N15LG, FIR20N50FG, FIR20N60FG, FIR20N65FG, FIR20NS65AFG, IRLB4132, FIR25N03D3G, FIR2N60AFG, FIR2N65AFG, FIR2N70FG, FIR2N80FG, FIR30N03D3G, FIR40N10LG, FIR40N15LG