FIR25N03D3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FIR25N03D3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR25N03D3G

FIR25N03D3G Datasheet (PDF)

..1. Size:1062K first semi
fir25n03d3g.pdf

FIR25N03D3G30V/25A N-Channel Advanced Power MOSFET-EPIN Connection PDFN3*3Features: N-Channel5V Logic Level Control Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche testMarking DiagramY = YearYAWWA = Assembly LocationFIR25N03D3WW = Work WeekFIR25N03D3 = Specific Device CodeAbsolute Maximum Ratings* (Tc=25

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Liste

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