FIR25N03D3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FIR25N03D3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3

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FIR25N03D3G datasheet

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FIR25N03D3G

FIR25N03D3G 30V/25A N-Channel Advanced Power MOSFET-E PIN Connection PDFN3*3 Features N-Channel 5V Logic Level Control Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche test Marking Diagram Y = Year YAWW A = Assembly Location FIR25N03D3 WW = Work Week FIR25N03D3 = Specific Device Code Absolute Maximum Ratings* (Tc=25

Otros transistores... FIR20N06LG, FIR20N10LG, FIR20N15LG, FIR20N50FG, FIR20N60FG, FIR20N65FG, FIR20NS65AFG, FIR24N50APTG, AO3401, FIR2N60AFG, FIR2N65AFG, FIR2N70FG, FIR2N80FG, FIR30N03D3G, FIR40N10LG, FIR40N15LG, FIR40N20LG