Справочник MOSFET. FIR25N03D3G

 

FIR25N03D3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR25N03D3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3
 

 Аналог (замена) для FIR25N03D3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR25N03D3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1062K  first semi
 fir25n03d3g.pdf pdf_icon

FIR25N03D3G

FIR25N03D3G30V/25A N-Channel Advanced Power MOSFET-EPIN Connection PDFN3*3Features: N-Channel5V Logic Level Control Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche testMarking DiagramY = YearYAWWA = Assembly LocationFIR25N03D3WW = Work WeekFIR25N03D3 = Specific Device CodeAbsolute Maximum Ratings* (Tc=25

Другие MOSFET... FIR20N06LG , FIR20N10LG , FIR20N15LG , FIR20N50FG , FIR20N60FG , FIR20N65FG , FIR20NS65AFG , FIR24N50APTG , AO3400 , FIR2N60AFG , FIR2N65AFG , FIR2N70FG , FIR2N80FG , FIR30N03D3G , FIR40N10LG , FIR40N15LG , FIR40N20LG .

History: CEP85N75 | FTK2102

 

 
Back to Top

 


 
.