FIR25N03D3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR25N03D3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3

Аналог (замена) для FIR25N03D3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR25N03D3G даташит

 ..1. Size:1062K  first semi
 fir25n03d3g.pdf pdf_icon

FIR25N03D3G

FIR25N03D3G 30V/25A N-Channel Advanced Power MOSFET-E PIN Connection PDFN3*3 Features N-Channel 5V Logic Level Control Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche test Marking Diagram Y = Year YAWW A = Assembly Location FIR25N03D3 WW = Work Week FIR25N03D3 = Specific Device Code Absolute Maximum Ratings* (Tc=25

Другие IGBT... FIR20N06LG, FIR20N10LG, FIR20N15LG, FIR20N50FG, FIR20N60FG, FIR20N65FG, FIR20NS65AFG, FIR24N50APTG, AO3401, FIR2N60AFG, FIR2N65AFG, FIR2N70FG, FIR2N80FG, FIR30N03D3G, FIR40N10LG, FIR40N15LG, FIR40N20LG