Справочник MOSFET. FIR25N03D3G

 

FIR25N03D3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FIR25N03D3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3

 Аналог (замена) для FIR25N03D3G

 

 

FIR25N03D3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1062K  first semi
 fir25n03d3g.pdf

FIR25N03D3G FIR25N03D3G

FIR25N03D3G30V/25A N-Channel Advanced Power MOSFET-EPIN Connection PDFN3*3Features: N-Channel5V Logic Level Control Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche testMarking DiagramY = YearYAWWA = Assembly LocationFIR25N03D3WW = Work WeekFIR25N03D3 = Specific Device CodeAbsolute Maximum Ratings* (Tc=25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top