FIR30N03D3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FIR30N03D3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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FIR30N03D3G datasheet

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FIR30N03D3G

FIR30N03D3G 30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET-C PIN Connection DFN3*3 Features High ruggedness Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) Typ8.7m @ VGS=4.5 V Typ5.7m @ VGS=10 V Low Gate Charge Typ 34nC 100% Avalanche test Improved dv/dt Capability Application Synchronous Rectification Li Battery Protect Board, Inverter Marking Diagram Y

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