FIR30N03D3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FIR30N03D3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

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FIR30N03D3G Datasheet (PDF)

..1. Size:2437K first semi
fir30n03d3g.pdf

FIR30N03D3G30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET-CPIN Connection DFN3*3Features: High ruggedness Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) Typ8.7m@ VGS=4.5 VTyp5.7m@ VGS=10 V Low Gate Charge Typ 34nC 100% Avalanche test Improved dv/dt Capability Application:Synchronous Rectification Li Battery Protect Board, InverterMarking DiagramY

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History: PMPB10XNEA

Liste

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