FIR30N03D3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR30N03D3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для FIR30N03D3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR30N03D3G даташит

 ..1. Size:2437K  first semi
 fir30n03d3g.pdf pdf_icon

FIR30N03D3G

FIR30N03D3G 30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET-C PIN Connection DFN3*3 Features High ruggedness Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) Typ8.7m @ VGS=4.5 V Typ5.7m @ VGS=10 V Low Gate Charge Typ 34nC 100% Avalanche test Improved dv/dt Capability Application Synchronous Rectification Li Battery Protect Board, Inverter Marking Diagram Y

Другие IGBT... FIR20N65FG, FIR20NS65AFG, FIR24N50APTG, FIR25N03D3G, FIR2N60AFG, FIR2N65AFG, FIR2N70FG, FIR2N80FG, SKD502T, FIR40N10LG, FIR40N15LG, FIR40N20LG, FIR4N70FG, FIR4N80FG, FIR4N90FG, FIR50N06LG, FIR50N15PG