FIR30N03D3G - аналоги и даташиты транзистора

 

FIR30N03D3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FIR30N03D3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для FIR30N03D3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR30N03D3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2437K  first semi
 fir30n03d3g.pdf pdf_icon

FIR30N03D3G

FIR30N03D3G30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET-CPIN Connection DFN3*3Features: High ruggedness Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) Typ8.7m@ VGS=4.5 VTyp5.7m@ VGS=10 V Low Gate Charge Typ 34nC 100% Avalanche test Improved dv/dt Capability Application:Synchronous Rectification Li Battery Protect Board, InverterMarking DiagramY

Другие MOSFET... FIR20N65FG , FIR20NS65AFG , FIR24N50APTG , FIR25N03D3G , FIR2N60AFG , FIR2N65AFG , FIR2N70FG , FIR2N80FG , SKD502T , FIR40N10LG , FIR40N15LG , FIR40N20LG , FIR4N70FG , FIR4N80FG , FIR4N90FG , FIR50N06LG , FIR50N15PG .

 

 
Back to Top

 


 
.