FIR40N10LG Todos los transistores

 

FIR40N10LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR40N10LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FIR40N10LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2137K  first semi
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FIR40N10LG

FIR40N10LG100V N-Channel MOSFET TO-252Features: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg= 61.7nC (Typ.). BVDSS=100V,ID=40A RDS(on) : 0.032 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested 1.Gate (G)2.Drain (D)3.Sourse (S)Absolute Maximum Ratings* (Tc=25 Unless otherwise no

 7.1. Size:4219K  first semi
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FIR40N10LG

FIR40N15LGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-252DescriptionThe FIR40N15LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =40A RDS(ON)

 8.1. Size:4328K  first semi
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FIR40N10LG

FIR40N20LGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-252DescriptionThe FIR40N20LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

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