FIR40N10LG MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FIR40N10LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FIR40N10LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TO-252

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FIR40N10LG datasheet

..1. Size:2137K first semi
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FIR40N10LG 100V N-Channel MOSFET TO-252 Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg= 61.7nC (Typ.). BVDSS=100V,ID=40A RDS(on) 0.032 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested 1.Gate (G) 2.Drain (D) 3.Sourse (S) Absolute Maximum Ratings* (Tc=25 Unless otherwise no

7.1. Size:4219K first semi
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FIR40N15LG N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet PIN Connection TO-252 Description The FIR40N15LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =40A RDS(ON)

8.1. Size:4328K first semi
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FIR40N20LG N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet PIN Connection TO-252 Description The FIR40N20LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

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