FIR40N10LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR40N10LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для FIR40N10LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR40N10LG даташит

 ..1. Size:2137K  first semi
 fir40n10lg.pdf pdf_icon

FIR40N10LG

FIR40N10LG 100V N-Channel MOSFET TO-252 Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg= 61.7nC (Typ.). BVDSS=100V,ID=40A RDS(on) 0.032 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested 1.Gate (G) 2.Drain (D) 3.Sourse (S) Absolute Maximum Ratings* (Tc=25 Unless otherwise no

 7.1. Size:4219K  first semi
 fir40n15lg.pdf pdf_icon

FIR40N10LG

FIR40N15LG N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet PIN Connection TO-252 Description The FIR40N15LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =40A RDS(ON)

 8.1. Size:4328K  first semi
 fir40n20lg.pdf pdf_icon

FIR40N10LG

FIR40N20LG N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet PIN Connection TO-252 Description The FIR40N20LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

Другие IGBT... FIR20NS65AFG, FIR24N50APTG, FIR25N03D3G, FIR2N60AFG, FIR2N65AFG, FIR2N70FG, FIR2N80FG, FIR30N03D3G, K4145, FIR40N15LG, FIR40N20LG, FIR4N70FG, FIR4N80FG, FIR4N90FG, FIR50N06LG, FIR50N15PG, FIR5N50FG