FIR50N06LG Todos los transistores

 

FIR50N06LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR50N06LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 86.67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 393.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

FIR50N06LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4356K  first semi
 fir50n06lg.pdf pdf_icon

FIR50N06LG

FIR50N06LGN-Channel Enhancement Mode Power Mosfet-EPIN Connection TO-252DescriptionThe FIR50N06LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =50A RDS(ON)

 8.1. Size:4894K  first semi
 fir50n15pg.pdf pdf_icon

FIR50N06LG

FIR50N15PGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220ABDescriptionThe FIR50N15PG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =50A RDS(ON)

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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