FIR50N06LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FIR50N06LG
Código: FIR50N06L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 43.25 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 86.67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 393.2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR50N06LG
FIR50N06LG Datasheet (PDF)
fir50n06lg.pdf
FIR50N06LGN-Channel Enhancement Mode Power Mosfet-EPIN Connection TO-252DescriptionThe FIR50N06LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =50A RDS(ON)
fir50n15pg.pdf
FIR50N15PGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220ABDescriptionThe FIR50N15PG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =50A RDS(ON)
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