Справочник MOSFET. FIR50N06LG

 

FIR50N06LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR50N06LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 86.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 393.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR50N06LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4356K  first semi
 fir50n06lg.pdf pdf_icon

FIR50N06LG

FIR50N06LGN-Channel Enhancement Mode Power Mosfet-EPIN Connection TO-252DescriptionThe FIR50N06LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =50A RDS(ON)

 8.1. Size:4894K  first semi
 fir50n15pg.pdf pdf_icon

FIR50N06LG

FIR50N15PGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220ABDescriptionThe FIR50N15PG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =50A RDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PNMTO600V8 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | STK14N10 | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.