Справочник MOSFET. FIR50N06LG

 

FIR50N06LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR50N06LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 86.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 393.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FIR50N06LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR50N06LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4356K  first semi
 fir50n06lg.pdf pdf_icon

FIR50N06LG

FIR50N06LGN-Channel Enhancement Mode Power Mosfet-EPIN Connection TO-252DescriptionThe FIR50N06LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =50A RDS(ON)

 8.1. Size:4894K  first semi
 fir50n15pg.pdf pdf_icon

FIR50N06LG

FIR50N15PGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220ABDescriptionThe FIR50N15PG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =50A RDS(ON)

Другие MOSFET... FIR2N80FG , FIR30N03D3G , FIR40N10LG , FIR40N15LG , FIR40N20LG , FIR4N70FG , FIR4N80FG , FIR4N90FG , AON7506 , FIR50N15PG , FIR5N50FG , FIR5N65FG , FIR5N80FG , FIR5NS70ALG , FIR60N04LG , FIR6N40FG , FIR6N60FG .

History: CEP85N75 | FTK2102 | AUIRLB3036 | 2SK2196 | IXFC14N80P | SSM6P36FE

 

 
Back to Top

 


 
.