FIR50N06LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR50N06LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86.67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для FIR50N06LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR50N06LG даташит

 ..1. Size:4356K  first semi
 fir50n06lg.pdf pdf_icon

FIR50N06LG

FIR50N06LG N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet-E PIN Connection TO-252 Description The FIR50N06LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =50A RDS(ON)

 8.1. Size:4894K  first semi
 fir50n15pg.pdf pdf_icon

FIR50N06LG

FIR50N15PG N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet PIN Connection TO-220AB Description The FIR50N15PG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =50A RDS(ON)

Другие IGBT... FIR2N80FG, FIR30N03D3G, FIR40N10LG, FIR40N15LG, FIR40N20LG, FIR4N70FG, FIR4N80FG, FIR4N90FG, IRFB3607, FIR50N15PG, FIR5N50FG, FIR5N65FG, FIR5N80FG, FIR5NS70ALG, FIR60N04LG, FIR6N40FG, FIR6N60FG