FIR60N04LG Todos los transistores

 

FIR60N04LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR60N04LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FIR60N04LG Datasheet (PDF)

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FIR60N04LG

FIR60N04LGN-Channel 100V(D-S) MOSFETPIN Connection TO-252Description The FIR60N04LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features D VDS =40V,ID =60A RDS(ON)

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History: CHM2331QGP | BUK9E6R1-100E | BUK9E2R3-40E | BSC016N03LSG | FXN9N50F

 

 
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