Справочник MOSFET. FIR60N04LG

 

FIR60N04LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR60N04LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FIR60N04LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR60N04LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4689K  first semi
 fir60n04lg.pdf pdf_icon

FIR60N04LG

FIR60N04LGN-Channel 100V(D-S) MOSFETPIN Connection TO-252Description The FIR60N04LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features D VDS =40V,ID =60A RDS(ON)

Другие MOSFET... FIR4N80FG , FIR4N90FG , FIR50N06LG , FIR50N15PG , FIR5N50FG , FIR5N65FG , FIR5N80FG , FIR5NS70ALG , 20N50 , FIR6N40FG , FIR6N60FG , FIR6N65FG , FIR6N70FG , FIR6N90FG , FIR7NS65AFG , FIR7NS70AFG , FIR7NS70ALG .

History: AP4416GH | P0403BDG | CPH6311 | KQB2N50 | BRCS020N04RA | SM3419NHQA | RS1G180MN

 

 
Back to Top

 


 
.