FIR96N08PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FIR96N08PG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 146 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 387 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR96N08PG
FIR96N08PG Datasheet (PDF)
fir96n08pg.pdf
FIR96N08PGPackage DimensionsTO-220Units: mm Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Symbol Min Max Min Max A 4.42 4.72 0.174 0.188 A1 2.52 2.82 0.099 0.111 b 0.71 0.91 0.028 0.036 b1 1.17 1.37 0.046 0.054 c 0.36 0.46 0.014 0.018 c1 1.17 1.37 0.046 0.054 D 9.95 10.25 0.392 0.0404 E 8.8 9.1 0.346 0.358 E1 12.55 12.85 0.494 0.506 e 2.540TYP 0.100TYP e1
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918