FIR96N08PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FIR96N08PG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 146 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 387 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de FIR96N08PG MOSFET
FIR96N08PG Datasheet (PDF)
fir96n08pg.pdf

FIR96N08PGPackage DimensionsTO-220Units: mm Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Symbol Min Max Min Max A 4.42 4.72 0.174 0.188 A1 2.52 2.82 0.099 0.111 b 0.71 0.91 0.028 0.036 b1 1.17 1.37 0.046 0.054 c 0.36 0.46 0.014 0.018 c1 1.17 1.37 0.046 0.054 D 9.95 10.25 0.392 0.0404 E 8.8 9.1 0.346 0.358 E1 12.55 12.85 0.494 0.506 e 2.540TYP 0.100TYP e1
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History: AOB2918L | AO4952 | HTS130N04 | FDS4897A | HGP640N25S | IRF5Y3710CM | RLP1N06CLE
History: AOB2918L | AO4952 | HTS130N04 | FDS4897A | HGP640N25S | IRF5Y3710CM | RLP1N06CLE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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