FIR96N08PG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FIR96N08PG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 387 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FIR96N08PG
FIR96N08PG Datasheet (PDF)
fir96n08pg.pdf

FIR96N08PGPackage DimensionsTO-220Units: mm Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Symbol Min Max Min Max A 4.42 4.72 0.174 0.188 A1 2.52 2.82 0.099 0.111 b 0.71 0.91 0.028 0.036 b1 1.17 1.37 0.046 0.054 c 0.36 0.46 0.014 0.018 c1 1.17 1.37 0.046 0.054 D 9.95 10.25 0.392 0.0404 E 8.8 9.1 0.346 0.358 E1 12.55 12.85 0.494 0.506 e 2.540TYP 0.100TYP e1
Другие MOSFET... FIR7NS70ALG , FIR80N03LG , FIR80N08PG , FIR80N10LG , FIR8N60FG , FIR8N65FG , FIR8N70FG , FIR8N80FG , CS150N03A8 , FIR9N50FG , FIR9N65LG , FIR9N90FG , DAC014N120Z5 , DAC015N065Z2 , DAC016N120P2 , DAC016N120Z2 , DAC020N065Z1 .
History: HGP640N25S | 2SK2150 | AP94T07GMT-HF | KMB4D5NP55Q | SI2342DS-T1 | ZXMS6006SGQ | WMK13N65EM
History: HGP640N25S | 2SK2150 | AP94T07GMT-HF | KMB4D5NP55Q | SI2342DS-T1 | ZXMS6006SGQ | WMK13N65EM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z