FIR96N08PG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR96N08PG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 387 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FIR96N08PG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR96N08PG даташит

 ..1. Size:2721K  first semi
 fir96n08pg.pdf pdf_icon

FIR96N08PG

FIR96N08PG Package Dimensions TO-220 Units mm Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Symbol Min Max Min Max A 4.42 4.72 0.174 0.188 A1 2.52 2.82 0.099 0.111 b 0.71 0.91 0.028 0.036 b1 1.17 1.37 0.046 0.054 c 0.36 0.46 0.014 0.018 c1 1.17 1.37 0.046 0.054 D 9.95 10.25 0.392 0.0404 E 8.8 9.1 0.346 0.358 E1 12.55 12.85 0.494 0.506 e 2.540TYP 0.100TYP e1

Другие IGBT... FIR7NS70ALG, FIR80N03LG, FIR80N08PG, FIR80N10LG, FIR8N60FG, FIR8N65FG, FIR8N70FG, FIR8N80FG, IRF520, FIR9N50FG, FIR9N65LG, FIR9N90FG, DAC014N120Z5, DAC015N065Z2, DAC016N120P2, DAC016N120Z2, DAC020N065Z1