DAC015N065Z2 Todos los transistores

 

DAC015N065Z2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAC015N065Z2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 440 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 19 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

DAC015N065Z2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1112K  dacosemi
 dac015n065z2.pdf pdf_icon

DAC015N065Z2

DAC015N065Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 650VFeaturesI 120AD(@25 ) RDS(ON) 15m TO-247-4L Benefits

 9.1. Size:1399K  dacosemi
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DAC015N065Z2

DAC016N120Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-4L B

 9.2. Size:1769K  dacosemi
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DAC015N065Z2

DAC016N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-3L Bene

 9.3. Size:1115K  dacosemi
 dac014n120z5.pdf pdf_icon

DAC015N065Z2

DAC014N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200V I 135AD(@25 ) RDS(ON) 14m TO-247-4L Benefits Pack

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History: IRF3711ZSPBF | IPD400N06NG | 2SK2807-01S | HAT2199R | 2SK3337N

 

 
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