DAC015N065Z2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAC015N065Z2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 440 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 19 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для DAC015N065Z2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC015N065Z2 даташит

 ..1. Size:1112K  dacosemi
 dac015n065z2.pdf pdf_icon

DAC015N065Z2

DAC015N065Z2 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 650V Features I 120A D(@25 ) RDS(ON) 15m TO-247-4L Benefits

 9.1. Size:1399K  dacosemi
 dac016n120z2.pdf pdf_icon

DAC015N065Z2

DAC016N120Z2 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Preliminary Features I 115A D(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-4L B

 9.2. Size:1769K  dacosemi
 dac016n120p2.pdf pdf_icon

DAC015N065Z2

DAC016N120P2 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Preliminary Features I 115A D(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-3L Bene

 9.3. Size:1115K  dacosemi
 dac014n120z5.pdf pdf_icon

DAC015N065Z2

DAC014N120Z5 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Features VDSS 1200V I 135A D(@25 ) RDS(ON) 14m TO-247-4L Benefits Pack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FIR8N65FG, FIR8N70FG, FIR8N80FG, FIR96N08PG, FIR9N50FG, FIR9N65LG, FIR9N90FG, DAC014N120Z5, 8N60, DAC016N120P2, DAC016N120Z2, DAC020N065Z1, DAC021N120Z4, DAC030N120Z1, DAC040N120P2, DAC040N120Z1, DAC040N120Z5