DAC030N120Z1 Todos los transistores

 

DAC030N120Z1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAC030N120Z1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

DAC030N120Z1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  dacosemi
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DAC030N120Z1

DAC030N120Z1DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VFeaturesI 78AD(@25 ) RDS(ON) 30m Drain(Pin1, TAB) TO-247-.4L Package

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE2301E | DMN2170U | ALD1102APAL | IRCP150 | NDS9410A | OSG65R200KF | PSMN012-100YS

 

 
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