DAC030N120Z1 - аналоги и даташиты транзистора

 

DAC030N120Z1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DAC030N120Z1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
 

 Аналог (замена) для DAC030N120Z1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC030N120Z1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  dacosemi
 dac030n120z1.pdf pdf_icon

DAC030N120Z1

DAC030N120Z1DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VFeaturesI 78AD(@25 ) RDS(ON) 30m Drain(Pin1, TAB) TO-247-.4L Package

Другие MOSFET... FIR9N65LG , FIR9N90FG , DAC014N120Z5 , DAC015N065Z2 , DAC016N120P2 , DAC016N120Z2 , DAC020N065Z1 , DAC021N120Z4 , STP65NF06 , DAC040N120P2 , DAC040N120Z1 , DAC040N120Z5 , DAC060N120P1 , DACMH120N1200 , DACMH160N1200 , DACMH200N1200 , DACMH40N1200 .

History: FCB11N60FTM | DACMI120N120BZK | FCB11N60TM

 

 
Back to Top

 


 
.