Справочник MOSFET. DAC030N120Z1

 

DAC030N120Z1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAC030N120Z1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7(typ) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 305 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC030N120Z1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  dacosemi
dac030n120z1.pdfpdf_icon

DAC030N120Z1

DAC030N120Z1DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VFeaturesI 78AD(@25 ) RDS(ON) 30m Drain(Pin1, TAB) TO-247-.4L Package

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: P1603BEBB | RJK2006DPJ | IXTY05N100

 

 
Back to Top

 


 
.