DAC030N120Z1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAC030N120Z1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для DAC030N120Z1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC030N120Z1 даташит

 ..1. Size:489K  dacosemi
 dac030n120z1.pdf pdf_icon

DAC030N120Z1

DAC030N120Z1 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Features I 78A D(@25 ) RDS(ON) 30m Drain (Pin1, TAB) TO-247-.4L Package

Другие IGBT... FIR9N65LG, FIR9N90FG, DAC014N120Z5, DAC015N065Z2, DAC016N120P2, DAC016N120Z2, DAC020N065Z1, DAC021N120Z4, STP65NF06, DAC040N120P2, DAC040N120Z1, DAC040N120Z5, DAC060N120P1, DACMH120N1200, DACMH160N1200, DACMH200N1200, DACMH40N1200