DAC040N120Z1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAC040N120Z1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 326 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: TO247-4L

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DAC040N120Z1 datasheet

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DAC040N120Z1

DAC040N120Z1 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Features I 62A D(@25 ) RDS(ON) 40m Drain (Pin1, TAB) TO-247-.4L Package

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DAC040N120Z1

DAC040N120Z5 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Features VDSS 1200V Preliminary I 54A D(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-4L Benefits

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DAC040N120Z1

DAC040N120P2 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Preliminary Features I 60A D(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-3L Benefits

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