DAC040N120Z1 Todos los transistores

 

DAC040N120Z1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAC040N120Z1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 326 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L
 

 Búsqueda de reemplazo de DAC040N120Z1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DAC040N120Z1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  dacosemi
 dac040n120z1.pdf pdf_icon

DAC040N120Z1

DAC040N120Z1DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VFeaturesI 62AD(@25 ) RDS(ON) 40mDrain (Pin1, TAB) TO-247-.4L Package

 3.1. Size:1556K  dacosemi
 dac040n120z5.pdf pdf_icon

DAC040N120Z1

DAC040N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200VPreliminary I 54AD(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-4L Benefits

 4.1. Size:1396K  dacosemi
 dac040n120p2.pdf pdf_icon

DAC040N120Z1

DAC040N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 60AD(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-3LBenefits

Otros transistores... DAC014N120Z5 , DAC015N065Z2 , DAC016N120P2 , DAC016N120Z2 , DAC020N065Z1 , DAC021N120Z4 , DAC030N120Z1 , DAC040N120P2 , MMIS60R580P , DAC040N120Z5 , DAC060N120P1 , DACMH120N1200 , DACMH160N1200 , DACMH200N1200 , DACMH40N1200 , DACMH80N1200 , DACMI060N120BZK .

History: IXFH74N20 | P1604ETF | IRF5EA1310 | SVSP11N65SD2TR | BRF7N65 | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G

 

 
Back to Top

 


 
.