DAC040N120Z1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAC040N120Z1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для DAC040N120Z1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC040N120Z1 даташит

 ..1. Size:492K  dacosemi
 dac040n120z1.pdf pdf_icon

DAC040N120Z1

DAC040N120Z1 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Features I 62A D(@25 ) RDS(ON) 40m Drain (Pin1, TAB) TO-247-.4L Package

 3.1. Size:1556K  dacosemi
 dac040n120z5.pdf pdf_icon

DAC040N120Z1

DAC040N120Z5 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Features VDSS 1200V Preliminary I 54A D(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-4L Benefits

 4.1. Size:1396K  dacosemi
 dac040n120p2.pdf pdf_icon

DAC040N120Z1

DAC040N120P2 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Preliminary Features I 60A D(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-3L Benefits

Другие IGBT... DAC014N120Z5, DAC015N065Z2, DAC016N120P2, DAC016N120Z2, DAC020N065Z1, DAC021N120Z4, DAC030N120Z1, DAC040N120P2, 7N60, DAC040N120Z5, DAC060N120P1, DACMH120N1200, DACMH160N1200, DACMH200N1200, DACMH40N1200, DACMH80N1200, DACMI060N120BZK