DAC040N120Z1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAC040N120Z1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
Тип корпуса: TO247-4L
Аналог (замена) для DAC040N120Z1
DAC040N120Z1 Datasheet (PDF)
dac040n120z1.pdf

DAC040N120Z1DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VFeaturesI 62AD(@25 ) RDS(ON) 40mDrain (Pin1, TAB) TO-247-.4L Package
dac040n120z5.pdf

DAC040N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200VPreliminary I 54AD(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-4L Benefits
dac040n120p2.pdf

DAC040N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 60AD(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-3LBenefits
Другие MOSFET... DAC014N120Z5 , DAC015N065Z2 , DAC016N120P2 , DAC016N120Z2 , DAC020N065Z1 , DAC021N120Z4 , DAC030N120Z1 , DAC040N120P2 , MMIS60R580P , DAC040N120Z5 , DAC060N120P1 , DACMH120N1200 , DACMH160N1200 , DACMH200N1200 , DACMH40N1200 , DACMH80N1200 , DACMI060N120BZK .
History: SM4842NSK | IRF540ZSPBF | CMRDM3590 | PSMN5R0-100PS | BR13N50
History: SM4842NSK | IRF540ZSPBF | CMRDM3590 | PSMN5R0-100PS | BR13N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679