DAC060N120P1 Todos los transistores

 

DAC060N120P1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAC060N120P1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

DAC060N120P1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  dacosemi
dac060n120p1.pdf pdf_icon

DAC060N120P1

DAC060N120P1Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 44.5AD(@25 ) RDS(ON) 60m TO-247-3LBenefits

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AONS36316 | RQK0608BQDQS | 4N65KG-T60-K | MRF5003 | CSD17309Q3 | IRFR120TR

 

 
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