DAC060N120P1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAC060N120P1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.85(typ) V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 129 nC
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DAC060N120P1 Datasheet (PDF)
dac060n120p1.pdf

DAC060N120P1Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 44.5AD(@25 ) RDS(ON) 60m TO-247-3LBenefits
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 24NM60L-TQ2-T | 24NM60G-TA3-T | 2N3970 | 1N80
History: 24NM60L-TQ2-T | 24NM60G-TA3-T | 2N3970 | 1N80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324