Справочник MOSFET. DAC060N120P1

 

DAC060N120P1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAC060N120P1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.85(typ) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 129 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC060N120P1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  dacosemi
dac060n120p1.pdfpdf_icon

DAC060N120P1

DAC060N120P1Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 44.5AD(@25 ) RDS(ON) 60m TO-247-3LBenefits

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 24NM60L-TQ2-T | 24NM60G-TA3-T | 2N3970 | 1N80

 

 
Back to Top

 


 
.