Справочник MOSFET. DAC060N120P1

 

DAC060N120P1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAC060N120P1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DAC060N120P1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC060N120P1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  dacosemi
dac060n120p1.pdfpdf_icon

DAC060N120P1

DAC060N120P1Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 44.5AD(@25 ) RDS(ON) 60m TO-247-3LBenefits

Другие MOSFET... DAC016N120P2 , DAC016N120Z2 , DAC020N065Z1 , DAC021N120Z4 , DAC030N120Z1 , DAC040N120P2 , DAC040N120Z1 , DAC040N120Z5 , STP65NF06 , DACMH120N1200 , DACMH160N1200 , DACMH200N1200 , DACMH40N1200 , DACMH80N1200 , DACMI060N120BZK , DACMI060N170BZK , DACMI120N120BZK .

History: CHM2310GP | NCEP6050QU | PMK35EP | RJK03C2DPB

 

 
Back to Top

 


 
.