DAC060N120P1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAC060N120P1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для DAC060N120P1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC060N120P1 даташит

 ..1. Size:513K  dacosemi
 dac060n120p1.pdf pdf_icon

DAC060N120P1

DAC060N120P1 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Preliminary Features I 44.5A D(@25 ) RDS(ON) 60m TO-247-3L Benefits

Другие IGBT... DAC016N120P2, DAC016N120Z2, DAC020N065Z1, DAC021N120Z4, DAC030N120Z1, DAC040N120P2, DAC040N120Z1, DAC040N120Z5, IRFZ46N, DACMH120N1200, DACMH160N1200, DACMH200N1200, DACMH40N1200, DACMH80N1200, DACMI060N120BZK, DACMI060N170BZK, DACMI120N120BZK