DACMH120N1200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DACMH120N1200
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 276 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DACMH120N1200 MOSFET
DACMH120N1200 Datasheet (PDF)
dacmh120n1200.pdf

DACMH120N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)
dacmh160n1200.pdf

DACMH160N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)
dacmh200n1200.pdf

DACMH200N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)
dacmh40n1200.pdf

DACMH40N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesHB-9434 VDSS = 1200V RDS(ON)
Otros transistores... DAC016N120Z2 , DAC020N065Z1 , DAC021N120Z4 , DAC030N120Z1 , DAC040N120P2 , DAC040N120Z1 , DAC040N120Z5 , DAC060N120P1 , IRF1405 , DACMH160N1200 , DACMH200N1200 , DACMH40N1200 , DACMH80N1200 , DACMI060N120BZK , DACMI060N170BZK , DACMI120N120BZK , DACMI150N120BZK3 .
History: AUIRFR2607ZTR | 2N7002BKV | IRF3711S | AP5600N | HGP220N25S | HM2015DN03Q | 2SK1727
History: AUIRFR2607ZTR | 2N7002BKV | IRF3711S | AP5600N | HGP220N25S | HM2015DN03Q | 2SK1727



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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