DACMH120N1200 - аналоги и даташиты транзистора

 

DACMH120N1200 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DACMH120N1200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 276 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DACMH120N1200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DACMH120N1200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  dacosemi
 dacmh120n1200.pdf pdf_icon

DACMH120N1200

DACMH120N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 8.1. Size:539K  dacosemi
 dacmh160n1200.pdf pdf_icon

DACMH120N1200

DACMH160N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.1. Size:555K  dacosemi
 dacmh200n1200.pdf pdf_icon

DACMH120N1200

DACMH200N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.2. Size:522K  dacosemi
 dacmh40n1200.pdf pdf_icon

DACMH120N1200

DACMH40N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesHB-9434 VDSS = 1200V RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DAC016N120Z2 , DAC020N065Z1 , DAC021N120Z4 , DAC030N120Z1 , DAC040N120P2 , DAC040N120Z1 , DAC040N120Z5 , DAC060N120P1 , IRF830 , DACMH160N1200 , DACMH200N1200 , DACMH40N1200 , DACMH80N1200 , DACMI060N120BZK , DACMI060N170BZK , DACMI120N120BZK , DACMI150N120BZK3 .

 

 
Back to Top

 


 
.