DACMH160N1200 Todos los transistores

 

DACMH160N1200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DACMH160N1200
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 580 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 368 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DACMH160N1200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  dacosemi
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DACMH160N1200

DACMH160N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

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DACMH160N1200

DACMH120N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

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DACMH160N1200

DACMH200N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.2. Size:522K  dacosemi
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DACMH160N1200

DACMH40N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesHB-9434 VDSS = 1200V RDS(ON)

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History: TPC70R950C | 10N70G-TF1-T | IXTH36N50P | 2N7271H2 | IPP114N12N3G | SQ2303ES | 10N80G-T3P-T

 

 
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