Справочник MOSFET. DACMH160N1200

 

DACMH160N1200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DACMH160N1200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 580 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 368 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DACMH160N1200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DACMH160N1200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  dacosemi
 dacmh160n1200.pdf pdf_icon

DACMH160N1200

DACMH160N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 8.1. Size:564K  dacosemi
 dacmh120n1200.pdf pdf_icon

DACMH160N1200

DACMH120N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.1. Size:555K  dacosemi
 dacmh200n1200.pdf pdf_icon

DACMH160N1200

DACMH200N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.2. Size:522K  dacosemi
 dacmh40n1200.pdf pdf_icon

DACMH160N1200

DACMH40N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesHB-9434 VDSS = 1200V RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DAC020N065Z1 , DAC021N120Z4 , DAC030N120Z1 , DAC040N120P2 , DAC040N120Z1 , DAC040N120Z5 , DAC060N120P1 , DACMH120N1200 , 60N06 , DACMH200N1200 , DACMH40N1200 , DACMH80N1200 , DACMI060N120BZK , DACMI060N170BZK , DACMI120N120BZK , DACMI150N120BZK3 , DACMI180N120BZK .

History: HGB025N06S | FQP3N40 | 7NM65G-TM3-T | AONS62602 | AP2304AGN | HM730F | 2SK2846

 

 
Back to Top

 


 
.