DACMI060N120BZK MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DACMI060N120BZK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DACMI060N120BZK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 326 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: SOT227

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DACMI060N120BZK datasheet

0.1. Size:457K dacosemi
dacmi060n120bzk.pdf pdf_icon

4.1. Size:383K dacosemi
dacmi060n170bzk.pdf pdf_icon

DACMI060N170BZK DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Features S G S D Appl

9.1. Size:385K dacosemi
dacmi450n120bzk3.pdf pdf_icon

DACMI450N120BZK3 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Typ. 5 m @ VGS = 15V Fully Avalanche Rated S D G Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Dimensions in inches and (millimeters) Electrically Isolation base plate Applications Solar Inverters Sw

9.2. Size:1581K dacosemi
dacmi150n120bzk3.pdf pdf_icon

DACMI150N120BZK3 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy. 14 m @ VGS = 15V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters S

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