DACMI120N120BZK Todos los transistores

 

DACMI120N120BZK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DACMI120N120BZK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 363 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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DACMI120N120BZK Datasheet (PDF)

 0.1. Size:782K  dacosemi
 dacmi120n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI120N120BZK

DACMI120N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETSOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON)

 8.1. Size:1581K  dacosemi
 dacmi150n120bzk3.pdf pdf_icon

DACMI120N120BZK

DACMI150N120BZK3Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy. 14 m@ VGS = 15V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters S

 8.2. Size:396K  dacosemi
 dacmi180n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI120N120BZK

DACMI180N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy.16 m@ VGS = 18V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters Swi

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History: S10H16S | SM2204NSQG | IXTH32P20T | NCE65NF068 | HGE055NE4A | FXN0303D | SM7A24NSF

 

 
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