DACMI120N120BZK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DACMI120N120BZK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 363 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для DACMI120N120BZK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DACMI120N120BZK даташит

 0.1. Size:782K  dacosemi
 dacmi120n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI120N120BZK

DACMI120N120BZK Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON)

 8.1. Size:1581K  dacosemi
 dacmi150n120bzk3.pdf pdf_icon

DACMI120N120BZK

DACMI150N120BZK3 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy. 14 m @ VGS = 15V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters S

 8.2. Size:396K  dacosemi
 dacmi180n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI120N120BZK

DACMI180N120BZK Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy.16 m @ VGS = 18V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters Swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DAC060N120P1, DACMH120N1200, DACMH160N1200, DACMH200N1200, DACMH40N1200, DACMH80N1200, DACMI060N120BZK, DACMI060N170BZK, RU7088R, DACMI150N120BZK3, DACMI180N120BZK, DACMI240N120BZK, DACMI250N120BZK3, DACMI450N120BZK3, DADMH040N120Z1B, DADMH056N090Z1B, DADMI040N120Z1B