Справочник MOSFET. DACMI120N120BZK

 

DACMI120N120BZK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DACMI120N120BZK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 363 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для DACMI120N120BZK

 

 

DACMI120N120BZK Datasheet (PDF)

 0.1. Size:782K  dacosemi
 dacmi120n120bzk.pdf

DACMI120N120BZK DACMI120N120BZK

DACMI120N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETSOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON)

 8.1. Size:1581K  dacosemi
 dacmi150n120bzk3.pdf

DACMI120N120BZK DACMI120N120BZK

DACMI150N120BZK3Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy. 14 m@ VGS = 15V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters S

 8.2. Size:396K  dacosemi
 dacmi180n120bzk.pdf

DACMI120N120BZK DACMI120N120BZK

DACMI180N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy.16 m@ VGS = 18V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters Swi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top