Справочник MOSFET. DACMI120N120BZK

 

DACMI120N120BZK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DACMI120N120BZK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 363 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DACMI120N120BZK Datasheet (PDF)

 0.1. Size:782K  dacosemi
 dacmi120n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI120N120BZK

DACMI120N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETSOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON)

 8.1. Size:1581K  dacosemi
 dacmi150n120bzk3.pdf pdf_icon

DACMI120N120BZK

DACMI150N120BZK3Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy. 14 m@ VGS = 15V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters S

 8.2. Size:396K  dacosemi
 dacmi180n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI120N120BZK

DACMI180N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy.16 m@ VGS = 18V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters Swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AOTF66616L | HM30N02D

 

 
Back to Top

 


 
.