DACMI150N120BZK3 Todos los transistores

 

DACMI150N120BZK3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DACMI150N120BZK3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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DACMI150N120BZK3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1581K  dacosemi
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DACMI150N120BZK3

DACMI150N120BZK3Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy. 14 m@ VGS = 15V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters S

 8.1. Size:396K  dacosemi
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DACMI150N120BZK3

DACMI180N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy.16 m@ VGS = 18V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters Swi

 8.2. Size:782K  dacosemi
 dacmi120n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI150N120BZK3

DACMI120N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETSOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON)

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History: IRFU5410PBF | CEB703AL

 

 
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