Справочник MOSFET. DACMI150N120BZK3

 

DACMI150N120BZK3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DACMI150N120BZK3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DACMI150N120BZK3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1581K  dacosemi
dacmi150n120bzk3.pdfpdf_icon

DACMI150N120BZK3

DACMI150N120BZK3Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy. 14 m@ VGS = 15V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters S

 8.1. Size:396K  dacosemi
dacmi180n120bzk.pdfpdf_icon

DACMI150N120BZK3

DACMI180N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy.16 m@ VGS = 18V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters Swi

 8.2. Size:782K  dacosemi
dacmi120n120bzk.pdfpdf_icon

DACMI150N120BZK3

DACMI120N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETSOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CTP03N2P7 | HM2310C | HM20N15D | CTZ2305A | AOTF380A60CL | DACMI060N170BZK | CTLDM7181-M832D

 

 
Back to Top

 


 
.