DACMI180N120BZK MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DACMI180N120BZK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DACMI180N120BZK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 800 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOT227

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DACMI180N120BZK datasheet

0.1. Size:396K dacosemi
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DACMI180N120BZK Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy.16 m @ VGS = 18V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters Swi

8.1. Size:1581K dacosemi
dacmi150n120bzk3.pdf pdf_icon

DACMI150N120BZK3 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy. 14 m @ VGS = 15V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters S

8.2. Size:782K dacosemi
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DACMI120N120BZK Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON)

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