DACMI180N120BZK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DACMI180N120BZK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для DACMI180N120BZK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DACMI180N120BZK даташит

 0.1. Size:396K  dacosemi
 dacmi180n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI180N120BZK

DACMI180N120BZK Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy.16 m @ VGS = 18V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters Swi

 8.1. Size:1581K  dacosemi
 dacmi150n120bzk3.pdf pdf_icon

DACMI180N120BZK

DACMI150N120BZK3 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy. 14 m @ VGS = 15V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters S

 8.2. Size:782K  dacosemi
 dacmi120n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI180N120BZK

DACMI120N120BZK Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DACMH160N1200, DACMH200N1200, DACMH40N1200, DACMH80N1200, DACMI060N120BZK, DACMI060N170BZK, DACMI120N120BZK, DACMI150N120BZK3, AOD4184A, DACMI240N120BZK, DACMI250N120BZK3, DACMI450N120BZK3, DADMH040N120Z1B, DADMH056N090Z1B, DADMI040N120Z1B, DADMI056N090Z1B, DAEMI040N120Z1B