DACMI250N120BZK3 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DACMI250N120BZK3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DACMI250N120BZK3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 444 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 typ Ohm

Encapsulados: SOT227

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DACMI250N120BZK3 datasheet

0.1. Size:386K dacosemi
dacmi250n120bzk3.pdf pdf_icon

DACMI250N120BZK3 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy.13 m @ V = 15 V GS Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters

8.1. Size:400K dacosemi
dacmi240n120bzk.pdf pdf_icon

DACMI240N120BZK Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy.10 m @ VGS = 18V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters Swi

9.1. Size:457K dacosemi
dacmi060n120bzk.pdf pdf_icon

9.2. Size:385K dacosemi
dacmi450n120bzk3.pdf pdf_icon

DACMI450N120BZK3 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Typ. 5 m @ VGS = 15V Fully Avalanche Rated S D G Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Dimensions in inches and (millimeters) Electrically Isolation base plate Applications Solar Inverters Sw

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