DACMI250N120BZK3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DACMI250N120BZK3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 342 nC
trⓘ - Время нарастания: 61 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 444 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT227
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DACMI250N120BZK3 Datasheet (PDF)
dacmi250n120bzk3.pdf

DACMI250N120BZK3Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy.13 m@ V = 15 VGS Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters
dacmi240n120bzk.pdf

DACMI240N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy.10 m@ VGS = 18V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters Swi
dacmi060n120bzk.pdf

DACMI060N120BZKSilicon Carbide Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Tpy. 40 m@ V GS = 20 V Fully Avalanche Rated SG D Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Electrically Isolation base plateDimensions in inches and (millimeters)Applications Solar Inverters
dacmi450n120bzk3.pdf

DACMI450N120BZK3Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesKSG VDSS = 1200VD RDS(ON) Typ. 5 m@ VGS = 15V Fully Avalanche Rated SDG Pb Free & RoHS Compliant KS(Kelvin Source) Isolation Type PackageS Dimensions in inches and (millimeters) Electrically Isolation base plateApplications Solar Inverters Sw
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 20N70KL-TF2-T | AOTF8N60
History: 20N70KL-TF2-T | AOTF8N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771