DADMH040N120Z1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DADMH040N120Z1B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.322 Ohm

Encapsulados: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de DADMH040N120Z1B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DADMH040N120Z1B datasheet

 0.1. Size:478K  dacosemi
 dadmh040n120z1b.pdf pdf_icon

DADMH040N120Z1B

DADMH040N120Z1B T DACO SEMICONDUC OR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 1200V / 40A Preliminary HB-9434 Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 8.1. Size:478K  dacosemi
 dadmh056n090z1b.pdf pdf_icon

DADMH040N120Z1B

DADMH056N090Z1B T DACO SEMICONDUC OR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 900V / 56A Preliminary HB-9434 Features VDSS = 900V RDS(ON)

Otros transistores... DACMI060N120BZK, DACMI060N170BZK, DACMI120N120BZK, DACMI150N120BZK3, DACMI180N120BZK, DACMI240N120BZK, DACMI250N120BZK3, DACMI450N120BZK3, AO4468, DADMH056N090Z1B, DADMI040N120Z1B, DADMI056N090Z1B, DAEMI040N120Z1B, DAEMI056N090Z1B, DAMH160N200, DAMH220N150, DAMH220N200