DADMH040N120Z1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DADMH040N120Z1B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.322 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DADMH040N120Z1B MOSFET
DADMH040N120Z1B Datasheet (PDF)
dadmh040n120z1b.pdf
DADMH040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)
dadmh056n090z1b.pdf
DADMH056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56APreliminaryHB-9434Features VDSS = 900V RDS(ON)
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History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A
History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A
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