DADMH040N120Z1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DADMH040N120Z1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1390 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.322 Ohm
Тип корпуса: MODULE
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DADMH040N120Z1B Datasheet (PDF)
0.1. Size:478K dacosemi
dadmh040n120z1b.pdf
dadmh040n120z1b.pdf
DADMH040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)
8.1. Size:478K dacosemi
dadmh056n090z1b.pdf
dadmh056n090z1b.pdf
DADMH056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56APreliminaryHB-9434Features VDSS = 900V RDS(ON)
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: AOTF66616L | HM30N02D
History: AOTF66616L | HM30N02D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor