Справочник MOSFET. DADMH040N120Z1B

 

DADMH040N120Z1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DADMH040N120Z1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.322 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DADMH040N120Z1B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DADMH040N120Z1B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:478K  dacosemi
dadmh040n120z1b.pdfpdf_icon

DADMH040N120Z1B

DADMH040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 8.1. Size:478K  dacosemi
dadmh056n090z1b.pdfpdf_icon

DADMH040N120Z1B

DADMH056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56APreliminaryHB-9434Features VDSS = 900V RDS(ON)

Другие MOSFET... DACMI060N120BZK , DACMI060N170BZK , DACMI120N120BZK , DACMI150N120BZK3 , DACMI180N120BZK , DACMI240N120BZK , DACMI250N120BZK3 , DACMI450N120BZK3 , IRFP064N , DADMH056N090Z1B , DADMI040N120Z1B , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 .

History: BSC016N06NS | HM16P12D | DMP2008UFG | SSM6K211FE | DHS021N04B | BL8N60-A | HM24N20KA

 

 
Back to Top

 


 
.