DADMH040N120Z1B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DADMH040N120Z1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1390 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.322 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DADMH040N120Z1B
DADMH040N120Z1B Datasheet (PDF)
dadmh040n120z1b.pdf
DADMH040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)
dadmh056n090z1b.pdf
DADMH056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56APreliminaryHB-9434Features VDSS = 900V RDS(ON)
Другие MOSFET... DACMI060N120BZK , DACMI060N170BZK , DACMI120N120BZK , DACMI150N120BZK3 , DACMI180N120BZK , DACMI240N120BZK , DACMI250N120BZK3 , DACMI450N120BZK3 , IRFP064N , DADMH056N090Z1B , DADMI040N120Z1B , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 .
History: STD3NM60 | EN2300 | STM4806 | BSZ110N08NS5 | PNMTO600V5 | NCEAP60T20D
History: STD3NM60 | EN2300 | STM4806 | BSZ110N08NS5 | PNMTO600V5 | NCEAP60T20D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor