DADMI056N090Z1B Todos los transistores

 

DADMI056N090Z1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DADMI056N090Z1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1194 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.146 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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DADMI056N090Z1B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:484K  dacosemi
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DADMI056N090Z1B

DADMI056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56ASOT-227PreliminarySFeaturesG VDSS = 900V RDS(ON)

 8.1. Size:483K  dacosemi
dadmi040n120z1b.pdf pdf_icon

DADMI056N090Z1B

DADMI040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminary SOT-227FeaturesSG VDSS = 1200V RDS(ON)

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History: IPB107N20N3 | CEF740A | IXFV12N100PS | VBJ2102M | RJK1052DPB | CEU540N | RJK6025DPH-E0

 

 
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